1. 삼성전자 미 텍사스 신규 투자
2. 인텔 파운드리 서비스 출범
3. 저용량 메모리 강자 제주반도체
4. EUV Pellicle
5. DRAM에 HKGM 공정과 8단 TSV 기술적용 512MB DDR5 출시
2021-03-26 업데이트
2021-03-25 작성
1. 삼성전자 미 텍사스 신규 투자
2021-03-23, 삼성전자 2분기 부터 오스틴 정상화, 불확실성 완화
"삼성전자, 2분기부터 오스틴 가동 정상화·불확실성 완화 기대" -KB증권
"삼성전자, 2분기부터 오스틴 가동 정상화·불확실성 완화 기대" -KB증권
www.newspim.com
- 매수/105000유지
- 오스틴 공장 21Q2 해소 전망
- 21Q1 영업익 9조1000억, 41% YoY/ 컨센서스 8조6000억
- IM 55%, CE 100% 증가
- 부문별 영업익 DS 3조5000억, IM 4조1000억, CE 1조, DP 4000억, 하만 1000
삼성전자 2020 매출[newsis.com/view/?id=NISX20210108_0001298007]:
- 연간 236조8100억 YoY 2.54% 영업익 35조9900억 YoY29.46%
[단독] 美텍사스, 삼성 반도체 "`15년` 세금감면 타당하다"
19조원 천문학 투자예고 삼성에 `최장 15년·3200억원` 유권해석 州 최장허용치는 `10년`에 불과 작년 테슬라도 10년 혜택에 만족 양질 일자리 등 경제효과에 화답 현지 지역민·이사회 찬성여부 주
www.mk.co.kr
- 매일경제신문, 텍사스주 세제 민원사이트 통해 주 회계감사관실 유권해석 공문 입수
- 삼성전자 오스틴 신공장 향후 170억달러(19조원) 투자.
- 삼성은 챕터133 재산세 감면 정책에 20년 1조 감면 요청
- 삼성전자 신공장 2024~2038 과세연도인 15년 2억8500만달러(3200억) 감세 타당.
- 이후 매너교육자치구 감명 협약후 자치구 이사회가 의결하면 공장 구축
- 최근 테슬라는 주 회계감사실 유권해석 후
- 텍사스 오스틴시 델발리교육자치구와 10년 4640만달러(520억) 재산세 감면 협약 체결
- 삼성은 세제감면 규모가 미흡시 애리조나주, 뉴욕주 외 한국등 입장.
- 계획이 확정되면 21Q2 부터 시작해 23Q4부터 상업생산 예정.
2. 인텔 파운드리 서비스 출범
- 200억 달러(약 22조6700억원)를 투자
2021-03-24, 한국경제 속보, 인텔 파운드리 "인텔 파운드리 서비스" 설립, 애리조나 주 오코틸로 신규 2곳
[속보] 인텔, 파운드리 사업 진출…美애리조나에 22조 투자도
[속보] 인텔, 파운드리 사업 진출…美애리조나에 22조 투자도, 배성수 기자, 산업
www.hankyung.com
2021-03-24, www.news1.kr/articles/?4250936
인텔, 파운드리 사업 진출…'삼성·TSMC와도 협력'
사실 앞에 겸손한 민영 종합 뉴스통신사 뉴스1
www.news1.kr
2021-03-24, www.thelec.kr 팻 겔싱어 CEO 질의응답 전문
'인텔 파운드리 사업 진출' 팻 겔싱어 CEO 질의응답 전문 - 전자부품 전문 미디어 디일렉
인텔이 200억달러(약 22조6000억원)을 투자해 미국 애리조나 소재 오코틸로 캠퍼스 내에 공장(팹) 2곳을 추가로 건설할 계획이라고 밝혔다. 미국과 유럽에 파운드리 역량을 강화한다는 전략이다.
www.thelec.kr
- 미국 유럽 공장에서 전 세계 고객을 위해 서비스 "인텔 파운드리 서비스"
- 파운드리 규모 2020까지 1000억달러(113조원) 규모 예상
- 아마존, 시스코, 에릭슨, 구글, IBM, MS, Qualcomm 등 지지 언급
- 애리주나주 오코틸로 캠퍼스, 200억달러(22조6000억) 들여 팹 2곳 신설
- 2023년 7나노 공정 실행 계획 (21년 7월 EUV 활용 7나노 노드), 결과는 21Q3 달성 예상
- 3D 패키징 기술 리더쉽 있다. 인터커넥트 버퍼 없이 원 와이어로 가능.
- 삼성, TSMC, UMC 등과도 전략적 활용
인텔 팻 겔싱어 CEO는 4분기 실적발표에서
2021-01-22, 2023년 7나도 생산 시작, 외부 파운드리 협력 강조www.thelec.kr
인텔 "2023년 7나노 칩 자체 생산"…파운드리도 시사 - 전자부품 전문 미디어 디일렉
인텔이 7나노미터(nm) 칩을 자체 생산하겠다고 밝혔다. 오는 2023년부터다. 올해 7월부터 공정 개발에 들어간다. 다만 일부 제품은 위탁생산(파운드리) 비중을 확대하겠다고도 했다.인텔은 21일(현
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- 21년 7월 EUV 활용 7나노 공정 개발
- 20Q4 R&D 지출 YoY9%증대 54억달러(5조9500억)
- 20Q4 매출 199억7800만달러 YoY 1.1%하락, 영업익 58억8400만달러 YoY 13.4 하락
- 연간 매출 778억6700만달러 YoY8.2%, 영업익 236억7800만달러 YoY 7.4%
2021-03-24, www.bloter.net/archives/537365
‘삼성·TSMC와 협력하겠다’는 인텔, 실상은 ‘적과의 동침’
지난 2월 취임한 인텔 새 CEO 팻 겔싱어(Pat Gelsinger)의 첫 간담회가 23일(현지시각) 열렸다. 겔싱어 CEO는 이 자리에서 인텔의 새 방향성인 ‘IDM(Integrated Device Manufacturer) 2.0’을 천명했다. 200억 달
www.bloter.net
- 2010년대 중반부터 14나노에 머물러 외부와 협력하는 Fablight 전략 예상했지만 이번 발표는 IDM2.0 으로 주도권을 잡겠다는 승부수!
- "협력" 이란 키워드 지만 IDM2.0으로 인텔이 주도할 것.
- 인텔은 세계 최고 수준의 로직반도체 설계 능력 & 패키징 능력이 있다.
- 조 바이든 정부의 반도체 탈 아시아와 함께 주도권 목표.
- 그렇지만 인텔이 7나노 생산할 메테오레이크 양산이 늦춰지거나 수율 문제가 발생하면
- 팹 투자 효과를 못 보고 재무상태가 나빠질 가능성도...
2021-03-25, news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=sec&sid1=101&oid=011&aid=0003887767
인텔 파운드리 진출에 회의적인 월가···단, 지정학이 새 고려요소 [김영필의 3분 월스트리트]
[서울경제] 24일(현지 시간) 미국 증시는 일제히 하락했습니다. 특히 기술주가 줄줄이 하락하면서 나스닥이 2% 넘게 빠졌습니다. 반면 10년 만기 국채금리는 한때 연 1.64%대까지 다시 올랐다가 1.61%
news.naver.com
2021-03-25, "인텔 돌아왔다" vs 투자자들 "냉담"
"인텔이 돌아왔다" 자신했지만…투자자들은 냉담했다(종합)
팻 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO). (사진=인텔 제공) [뉴욕=이데일리 김정남 특파원] 미국 반도체업체 인텔의 주가가 대대적인 투자 계획을 발표한 직후 거래에서 하락했다. “인텔이 돌아왔다”고
news.naver.com
- 24일 전거래일 -2.27% 62.04달러 마감
- 부정적
- 인텔 공정기술 14나노 수준, 삼성/TSMC대비 두 세대 뒤졌다고,
2016년 기술 문제로 파운드리 철수 경험 - 번스타인 리서치 스테이시 라스곤 애널리스트: "난관 많을 것" 목표주가 43달러
- 배런스는 인텔이 TSMC를 어떻게 따라잡을지 구체적인 방법을 제시하지 않았다는 점
- 인텔 공정기술 14나노 수준, 삼성/TSMC대비 두 세대 뒤졌다고,
- 긍정적
- 미중 갈등으로 TSMC의존이 어려운 지정학적 문제
- 중국내에서 나오는 "TSMC"를 통한 기술 자립 - 미국에 타격
- x86 지적 재산권이 Intel 과 AMD 만 보유한 고유의 특허 능력.
- 미중 갈등으로 TSMC의존이 어려운 지정학적 문제
정리 좀 해보자... TSMC 는 360억달러 월 10만장 규모 투자 계획 진행
www.theguru.co.kr/mobile/article.html?no=19307
"TSMC, 美 공장 최대 6개 짓는다"…삼성 증산경쟁 '점입가경'
[더구루=오소영 기자] 대만 TSMC가 미국에 360억 달러(약 40조원)를 쏟아 6개 생산거점을 구축한다. 당초 계획보다 생산량을 5배 확대한 것이다. 파운드리 업계의 호황으로 투자를 늘리며 삼성전자
www.theguru.co.kr
| TSMC | Samsung | Intel |
| 애리조나에 120억달러(13조원) 2021~2029년 투자, 5nm 기술로 2024년 12인치 생산 목표 | 텍사스에 170억달러(19조원), 2023년 생산목표 | 애리조나 200억달러(22조6000억) 들여 팹 2곳 신설, 2023년 7nm공정 |
| 2022년 3나노 공정 초기 월 5만5000장을 생산하고 2023년 10만5000장으로 확대한다. | 평택 P2 5나노 파운드리 라인 규모를 기존 2만8000장에서 4만3000장으로 올려 잡았다. 지난해 평택 'P3' 공장을 착공했으며 2023년 하반기 양산 예정이다. |
4. 저용량 MCP 메모리
제주반도체, 美퀄컴·臺미디어텍 동시 메모리 인증
제주반도체 MCP 제품 [이데일리 강경래 기자] 제주반도체(080220)가 통신용 반도체 분야 세계 1위인 미국 퀄컴으로부터 5G(5세대 이동통신) IoT(사물인터넷) 반도체 칩셋에 들어가는 메모리 인증을 받
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- MCP (Multi Chip Package) 분야에서 전세계 16%
- MCP는 낸드플래스/D램 등 다양한 메모리 반도체를 결합한 복합 메모리 술루션
- 저용량 제품군
- CPE(Customer Premise Equipment), Router, Module, Hotspot 등 스마트시티, 스마트팩토리 등 여러 IoT기기 들에 쓰인다.
- 퀄컴 스냅드래곤 SDX55 / 미디어텍 칩셋 메모리로 8Gb SLC Nand + 8Gb LPDDR4 Dram 결합 MCP 제품 인증
- 미 마이크론에 이어 2번째 인증 제품!!!
4. EUV Pellicle 완성
2021-03-22, semiengineering.com/euv-pellicles-finally-ready/
EUV Pellicles Finally Ready
Yield rises with mask protection; multiple sources will likely reduce costs.
semiengineering.com
www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=386
펠리클! 펠리클! 펠리클!... EUV 공정 완성하는 퍼즐 한 조각 - 전자부품 전문 미디어 디일렉
2019년은 우리나라 반도체 산업 역사 상 큰 의미를 갖는 해가 될 것으로 보인다. 경쟁국을 모두 제치고 우리나라에서 새로운 기술이 최초로 양산에 적용되는 해이기 때문이다. 이 신기술은 바로
www.thelec.kr
5. DRAM에 HKGM 공정과 8단 TSV 기술적용 512MB DDR5 출시
삼성전자, 업계 최초 HKMG 공정 적용 고용량 DDR5 메모리 개발
삼성전자가 업계 최초로 ‘하이케이 메탈 게이트 (High-K Metal Gate, 이하 HKMG)’ 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다. DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존의 DDR4 대비 2배
news.samsung.com
- HKMG DDR5 메모리 모듈은 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소
- 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션이 될 것으로 기대
- D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술이 적용
- DDR5에서 7200Mbps 전송속도 달성
HKMG 구조
DRAM의 트랜지스터는 S(source)에서 D(drain) 쪽으로 전하가 흘려 전류가 흐르는 원리로 전류가 흐르지 못하는 절연 물질로 pSION 을 사용해 왔다. 이번에 High-K 물질을 절연막으로 사용해 Metal Gate를 적용해서 전력소모를 13% 줄였다.
8단 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술
TSV는 though-chip via 라고도 불린다. 수칙 전극으로 웨이퍼 사이에 구멍을 뚫어 칩과 칩을 수직으로 연결하는 패키징 기술.
TSV를 적용한 그래픽 카드 구조의 예에서 D-ram과 HBM 인터페이스를 TSV통해 연결.
- 삼성전자는 2010년 세계 최초로 TSV기반 D Ram 모듈을 개발,
- 2014/8월 3차원 TSV 적층 기술을 적용한 64GB 차세대 DDR4 서버용 램 양산.
- 이번 2021/3/25일 업계 최초로 HKMG 공정을 적용해 8단 TSV 기술을 적용한 제품을 출시
news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=shm&sid1=101&oid=015&aid=0004519399
D램 격차 더 벌린 삼성…영화 2편 1초 만에 전송
삼성전자가 반도체 업계 최초로 HKMG(하이케이 메탈 게이트) 공정을 적용한 DDR5 메모리 모듈(사진)을 개발했다고 25일 발표했다. 용량과 속도를 크게 개선해 데이터센터, 에지컴퓨팅 등에 활용할
news.naver.com
- DDR5는 2023년 DDR4를 제치고 출하량 역전 예상
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