HBM
단일 DRAM 모듈은 32개, 64개 등의 핀과 프로세서가 연결되야해서 프로세스 주변에 여러개의 데이터 버스를 배치하게 된다. HBM 메모리는 실리콘관통전극 TSV(Through Sillion Via) 기술을 이용해 여러개의 DRAM을 쌓아 1024개 이상의 데이터버스를 프로세스에 연결할 수 있게한다.
- 4GB HBM Dram 비밀, 2016/1/19, 삼성전자
HBM 세대 / 개발 로드맵
트렌드포스에 따르면 전 세계 HBM 시장 규모는 2023년 39억달러(약 5조2000억원)에서 2027년 89억달러(약 11조8000억원)로 커질 전망이다.
HBM 패키징 기술
SK하이닉스는 'MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)'
- 내부 공간 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고 칩 사이에 체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 방식이다
삼성전자, 마이크론 'TC-NCF(Thermo Compression Non Conductive Film)'
- 비전도성 접착 필름을 칩 사이에 넣고 위에서부터 열 압착을 가하는 본딩 공정으로 마무리하는 방법이다.
HBM4부터는 솔더볼이나 범프 등 연결 소재 없이 칩과 칩을 붙이는 '하이브리드 본딩' 도입 가능성이 제기된다.
PIM
PIM 은 메모리에 연산처리 로직을 추가한 메모리
HBM-PIM
삼성전자는 HBM 에 PIM 을 결합한 HBM-PIM 구조를 개발한다.
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